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面向14nm节点制程尼康公然新一代193nm液浸光刻机NSRS621D

发布时间:2020-03-20 10:14:50阅读:来源:万能检测设备

日本光刻机装备厂商尼康在最近召开的LithoVision2011会展上泄漏了其光刻机产品的未来发展路线图,他们首先在会上公然了其新款S621D型193nm液浸式光刻机的部份参数,另外还泄漏了可供EUV光刻机使用的光源产品和有关的量测技术的消息.

资料图片:尼康NSR-S620D

尼康和ASML在高端光刻机领域是一对死对头,不过两家公司的EUV战略有着显著的不同之处。ASML目前着力于在22nm节点制程推行EUV光刻技术的普及性,而尼康则认为EUV技术要到16nm或11nm节点才有可能发展成熟。尼康负责新技术开发的总经理Yuichi Shibasaki称:“尼康预计EUV系统的成熟期会有所后延。”因此,尼康的重点主要放在传统光刻方面。他们目前上市的产品有之前公布的S620D 193nm液浸式光刻机,这类光刻机可供32nm及以上规格节点制程使用,S620D机型的数据孔径值(NA)为1.25,产出量则为每小时200片晶圆。尼康S620D机型的客户据报道包括Intel,Globalfoundries和三星几家。据报道Intel正在使用这款光刻机开发其22nm节点制程逻辑芯片产品.目前尼康是Intel32nm制程芯片关键层制造用光刻装备的独家供应商。不过据称Intel在22nm节点制程会同时使用两家光刻机厂商的产品制造其关键层。除尼康的S620D以外,Intel据报道也正在使用其对手ASML生产的193nm液浸式光刻机。NSR-S620D的模块化系统结构(Modular2)

在本次LithoVision会展仪式上,尼康则展现了其新款S621D 193nm液浸式光刻机,客户可以单独订购S621D机台,而目前的S620D光刻机则是以模块系统的方式与其它装备一起销售,不过S620D的客户也可以选择将光刻机升级到S621D机型。S620D机型在套刻精度方面的性能较为突出,其单批晶圆间的套刻误差可控制在2nm以下,而不同批晶圆间的套刻误差则可控制在每3批2.2nm(按3σ准则计算)以下的水平,完全可以满足32nm产品的要求,接近22nm产品的要求。与S620D类似,S621D的NA值参数也到达了1.25.不过S621D在套刻精度方面更上一层楼,其性能是根据14nm制程的要求制定的.根据尼康高管Shibasaki在一份演示中介绍了这款新机型的改进和优化之处,如新机型采取的动态镜片控制技术,自适应和图象畸变控制技术,自适应型掩膜版载具控制技术等(intra shot grid, dynamic lens control, adaptive reticle chuck and aberration control)。另外,尼康还推出了名为iPure的新一代光源-掩膜优化技术(source-mask-optimization (SMO))(其本质是一种通过照明光源与掩膜图形的相互优化,使得传统光刻技术可用来实现更小尺寸半导体元件制造的技术。),尼康宣称自己的SMO技术可以在光刻进程中实时调剂光刻机的光源。与ASML一样,尼康也在开发自己的EUV光刻系统,ASML公司此前已售出了两台EUV alpha光刻试制机,其中1台卖给了Albany Nanotech公司,另外一台则卖给了比利时IMEC。另外,ASML最近还将首款试产型独立式EUV光刻机卖给了三星公司。而尼康则目前还没有独立式EUV光刻机上市,不过这家公司制造了两台研发用EUV光刻装备,其中一台放在尼康日本总部使用,而另外一台则供给日本的一个研究组织Selete使用。不过尼康也一直在开发自己的商用EUV光刻工具,这款EUV光刻机被命名为EUV1.尼康认为EUV光刻性能投入实用的时期应该是在2015年左右11nm半代制程启动之时.在这次Lithovision大会上,尼康联合佳能公司称两家公司在共同开发可供EUV使用的,名为MISTI(Multi-Incoherent-Source Talbot Interferometer)的光化学波导量测技术( actinic wavefront metrology technology),目前这项技术仍处于研发阶段。CNBeta编译原文:eetimes

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